SIS407DN-T1-GE3
מספר מוצר של יצרן:

SIS407DN-T1-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIS407DN-T1-GE3-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 25A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

מלאי:

45251 יחידות חדשות מק originales במלאי
13007433
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SIS407DN-T1-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
93.8 nC @ 8 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2760 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.6W (Ta), 33W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SIS407

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay

SIHH11N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8

vishay

SQS411ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

vishay

SIR184DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK

vishay

SIB408DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6