מספר מוצר של יצרן:
SQS411ENW-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQS411ENW-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 16A (Tc) 39.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
מלאי:
5355 יחידות חדשות מק originales במלאי
13007568
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQS411ENW-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
27.3mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
50 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3191 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
39.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8W
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8W
מספר מוצר בסיסי
SQS411
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
SIB408DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6
SQM70060EL_GE3
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
