מספר מוצר של יצרן:
VP1008B
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
VP1008B-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 100V 790MA TO39
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 790mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39
מלאי:
12787743
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
VP1008B מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
790mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
150 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6.25W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-39
חבילה / מארז
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
מספר מוצר בסיסי
VP1008
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHB22N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
SQV120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
SIHP28N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
