מספר מוצר של יצרן:
SIHP28N65E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP28N65E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12787750
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP28N65E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
29A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
112mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
140 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3405 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP28
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCP125N60E
יצרן
onsemi
כמות זמינה
253
DiGi מספר חלק
FCP125N60E-DG
מחיר ליחידה
2.44
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP34NM60ND
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
969
DiGi מספר חלק
STP34NM60ND-DG
מחיר ליחידה
5.81
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPP60R125CPXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4944
DiGi מספר חלק
IPP60R125CPXKSA1-DG
מחיר ליחידה
3.00
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPP60R099P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1904
DiGi מספר חלק
IPP60R099P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.78
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQM40061EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
SIHF35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8