מספר מוצר של יצרן:
SIS496EDNT-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIS496EDNT-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
12787756
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIS496EDNT-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1515 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
52W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SIS496
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SISA72DN-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SISA72DN-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQM50020EL_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
SIR484DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
VP0808B-2
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
