מספר מוצר של יצרן:
SUP90N06-6M0P-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUP90N06-6M0P-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
581 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786896
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUP90N06-6M0P-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4700 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.75W (Ta), 272W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SUP90
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SUP90N06-6M0P-E3CT-DG
SUP90N06-6M0P-E3DKRINACTIVE
SUP90N06-6M0P-E3TR-DG
SUP90N06-6M0P-E3TR
SUP90N06-6M0P-E3TRINACTIVE
SUP90N06-6M0P-E3CT
SUP90N06-6M0P-E3DKR
SUP90N06-6M0P-E3DKR-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUB75P03-07-E3
MOSFET P-CH 30V 75A TO263
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
SIHA15N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
