מספר מוצר של יצרן:
SUD50P06-15-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUD50P06-15-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12786901
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUD50P06-15-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
165 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4950 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 113W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SUD50
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SUD50P0615GE3
SUD50P06-15-GE3DKR
SUD50P06-15-GE3CT
SUD50P06-15-GE3TR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
2361
DiGi מספר חלק
TJ60S06M3L(T6L1,NQ-DG
מחיר ליחידה
0.84
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
2000
DiGi מספר חלק
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
מחיר ליחידה
0.74
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SUD50P06-15-BE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
3800
DiGi מספר חלק
SUD50P06-15-BE3-DG
מחיר ליחידה
1.05
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHA15N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
SUM40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
SIS407ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
