מספר מוצר של יצרן:
SUP60N10-18P-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUP60N10-18P-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12919234
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUP60N10-18P-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
75 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2600 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SUP60
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTP6412ANG
יצרן
onsemi
כמות זמינה
114
DiGi מספר חלק
NTP6412ANG-DG
מחיר ליחידה
0.86
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF3710ZPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1894
DiGi מספר חלק
IRF3710ZPBF-DG
מחיר ליחידה
0.60
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RFP12N10L
יצרן
onsemi
כמות זמינה
4251
DiGi מספר חלק
RFP12N10L-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP60N10T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
21
DiGi מספר חלק
IXTP60N10T-DG
מחיר ליחידה
1.10
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRL520NPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4018
DiGi מספר חלק
IRL520NPBF-DG
מחיר ליחידה
0.34
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHD6N65ET1-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
SIR414DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
SIJ482DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
