מספר מוצר של יצרן:
RFP12N10L
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
RFP12N10L-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
4251 יחידות חדשות מק originales במלאי
12842822
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RFP12N10L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
200mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
RFP12N10
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
RFP12N10L-NDR
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTD70N03R-001
MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
NTP30N06L
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
NTD4856N-35G
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
