מספר מוצר של יצרן:
SUP50N10-21P-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUP50N10-21P-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12920772
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUP50N10-21P-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2055 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SUP50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
שרטוטי מוצרים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTP6412ANG
יצרן
onsemi
כמות זמינה
114
DiGi מספר חלק
NTP6412ANG-DG
מחיר ליחידה
0.86
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF3710ZPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1894
DiGi מספר חלק
IRF3710ZPBF-DG
מחיר ליחידה
0.60
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF3710PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3201
DiGi מספר חלק
IRF3710PBF-DG
מחיר ליחידה
0.64
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP60N10T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
21
DiGi מספר חלק
IXTP60N10T-DG
מחיר ליחידה
1.10
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP60NF10
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
980
DiGi מספר חלק
STP60NF10-DG
מחיר ליחידה
1.23
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR164ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
SISS40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
2SJ661-1EX
MOSFET P-CH I2PAK
