מספר מוצר של יצרן:
IRF3710PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF3710PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
3201 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805297
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF3710PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
57A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
23mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
130 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3130 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRF3710
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
INFIRFIRF3710PBF
2156-IRF3710PBFINF
*IRF3710PBF
SP001551058
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7433
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
IRF5803TR
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
IRLB4132PBF
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
