מספר מוצר של יצרן:
SUD45P04-16P-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUD45P04-16P-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 40V 36A TO252AA
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 36A (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12915955
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUD45P04-16P-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
36A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16.2mOhm @ 14A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
100 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2765 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SUD45
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQJ481EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
SI4896DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
SI7463DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
