מספר מוצר של יצרן:
SI4896DY-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4896DY-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 6.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
2500 יחידות חדשות מק originales במלאי
12915957
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4896DY-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.56W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI4896
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI4896DY-T1-GE3DKR
SI4896DY-T1-GE3TR
SI4896DY-T1-GE3CT
SI4896DYT1GE3
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7463DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
SUM90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
