מספר מוצר של יצרן:
SUD35N10-26P-T4GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUD35N10-26P-T4GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12786723
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUD35N10-26P-T4GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2000 pF @ 12 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SUD35
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
AUIRFR540ZTRL
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
444
DiGi מספר חלק
AUIRFR540ZTRL-DG
מחיר ליחידה
1.10
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SUD35N10-26P-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1990
DiGi מספר חלק
SUD35N10-26P-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.82
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
SUD35N10-26P-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
310
DiGi מספר חלק
SUD35N10-26P-E3-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHB22N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
SIHLL110TR-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
SI8816EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
