מספר מוצר של יצרן:
SQJ456EP-T2_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQJ456EP-T2_GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
13277345
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQJ456EP-T2_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
26mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
63 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3342 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SQJ456
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SQJ456EP-T2_GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SQJ456EP-T1_GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
4428
DiGi מספר חלק
SQJ456EP-T1_GE3-DG
מחיר ליחידה
2.24
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHLR120-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
SIHF530-GE3
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
SQD45P03-12-T4_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA