מספר מוצר של יצרן:
SIHF530-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHF530-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
13277347
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHF530-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
670 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
88W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHF530
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHF530-GE3DKR-ND
742-SIHF530-GE3CT
742-SIHF530-GE3TR
742-SIHF530-GE3DKR
742-SIHF530-GE3DKRINACTIVE
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQD45P03-12-T4_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
SQJ412EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
SQD50P03-07-T4_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
