מספר מוצר של יצרן:
SQD50N04-5M6_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQD50N04-5M6_GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12786790
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQD50N04-5M6_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
85 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
71W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SQD50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQD50N04-5M6_GE3-DG
SQD50N04-5M6_GE3TR
SQD50N04-5M6-GE3
SQD50N04-5M6_GE3CT
SQD50N04-5M6_GE3DKR
SQD50N04-5M6-GE3-DG
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDD8453LZ
יצרן
onsemi
כמות זמינה
705
DiGi מספר חלק
FDD8453LZ-DG
מחיר ליחידה
0.83
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SQD50N04-5M6_T4GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
42117
DiGi מספר חלק
SQD50N04-5M6_T4GE3-DG
מחיר ליחידה
0.55
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR438DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIHA21N65EF-E3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220
SQJQ410EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
