מספר מוצר של יצרן:
SIHA21N65EF-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHA21N65EF-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 21A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
מלאי:
12786800
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHA21N65EF-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
106 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2322 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220 Full Pack
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
SIHA21
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQJQ410EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
SIHB12N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
SIHB12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
