מספר מוצר של יצרן:
SIHB12N50C-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHB12N50C-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12786822
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHB12N50C-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
555mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1375 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
208W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SIHB12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTA12N50P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
24
DiGi מספר חלק
IXTA12N50P-DG
מחיר ליחידה
1.71
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STB11NK50ZT4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
872
DiGi מספר חלק
STB11NK50ZT4-DG
מחיר ליחידה
1.34
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQD50N04-5M6_T4GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
SIHP24N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
SUD23N06-31-GE3
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
