מספר מוצר של יצרן:
SQD100N02-3M5L_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQD100N02-3M5L_GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
1594 יחידות חדשות מק originales במלאי
12916227
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQD100N02-3M5L_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5500 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SQD100
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SQD100N02-3M5L_GE3CT
SQD100N02-3M5L_GE3-DG
SQD100N02-3M5L_GE3DKR
SQD100N02-3M5L_GE3TR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7464DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
SIR876DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
SIHG47N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
