SI7464DP-T1-GE3
מספר מוצר של יצרן:

SI7464DP-T1-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI7464DP-T1-GE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

מלאי:

2660 יחידות חדשות מק originales במלאי
12916236
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SI7464DP-T1-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
240mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SI7464

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SI7464DP-T1-GE3CT
SI7464DPT1GE3
SI7464DP-T1-GE3TR
SI7464DP-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
BSC22DN20NS3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
5719
DiGi מספר חלק
BSC22DN20NS3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SIR876DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHG47N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

vishay-siliconix

SQJA90EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI1470DH-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6