מספר מוצר של יצרן:
SI1470DH-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1470DH-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 5.1A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
מלאי:
12916253
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1470DH-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.6V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.5 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
510 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
מספר מוצר בסיסי
SI1470
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1470DHT1E3
SI1470DH-T1-E3TR
SI1470DH-T1-E3DKR
SI1470DH-T1-E3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIE818DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
SIHU6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
SI7868ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
