מספר מוצר של יצרן:
SQ9945AEY-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQ9945AEY-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 3.7A 2.4W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12915857
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQ9945AEY-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.7A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
80mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
2.4W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
SQ9945
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF7103TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
9567
DiGi מספר חלק
IRF7103TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.29
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIZ720DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
SI4910DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
SIA911DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
