מספר מוצר של יצרן:
SIZ720DT-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIZ720DT-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 16A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
מלאי:
12915897
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIZ720DT-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
825pF @ 10V
הספק - מקס'
27W, 48W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-PowerPair™
חבילת מכשירים לספקים
6-PowerPair™
מספר מוצר בסיסי
SIZ720
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4910DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
SIA911DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SI7844DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8