מספר מוצר של יצרן:
SQ4532AEY-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQ4532AEY-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
3323 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786868
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQ4532AEY-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
535pF @ 15V, 528pF @ 15V
הספק - מקס'
3.3W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
SQ4532
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQ4532AEY-T1_GE3CT
SQ4532AEY-T1_GE3-DG
SQ4532AEY-T1_GE3TR
SQ4532AEY-T1_GE3DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQJ992EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12