מספר מוצר של יצרן:
SQJB90EP-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQJB90EP-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
מלאי:
940 יחידות חדשות מק originales במלאי
12787107
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQJB90EP-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
21.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1200pF @ 25V
הספק - מקס'
48W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8 Dual
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8 Dual
מספר מוצר בסיסי
SQJB90
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQJB90EP-T1_GE3CT
SQJB90EP-T1_GE3DKR
SQJB90EP-T1_GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIZ904DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
SQJQ900E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
SI8902EDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6MICROFOOT
