מספר מוצר של יצרן:
SIZF906ADT-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIZF906ADT-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
מלאי:
12787748
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIZF906ADT-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual), Schottky
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
הספק - מקס'
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-PowerPair® (6x5)
מספר מוצר בסיסי
SIZF906
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SIZF906ADT-T1-GE3DKR
SIZF906ADT-T1-GE3CT
SIZF906ADT-T1-GE3TR
2266-SIZF906ADT-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
VQ1001P-2
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
SIZ918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
