מספר מוצר של יצרן:
VQ1001P-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
VQ1001P-E3-DG
תיאור:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
מלאי:
12787785
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
VQ1001P-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
4 N-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
830mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
110pF @ 15V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
-
חבילת מכשירים לספקים
14-DIP
מספר מוצר בסיסי
VQ1001
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIZ328DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
SI7946DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8
A1F25M12W2-F1
SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
