מספר מוצר של יצרן:
SIZ900DT-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIZ900DT-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 24A 6PWRPAIR
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
מלאי:
12786736
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIZ900DT-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A, 28A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.2mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1830pF @ 15V
הספק - מקס'
48W, 100W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-PowerPair™
חבילת מכשירים לספקים
6-PowerPair™
מספר מוצר בסיסי
SIZ900
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIZ900DT-T1-GE3DKR
SIZ900DTT1GE3
SIZ900DT-T1-GE3CT
SIZ900DT-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMS7602S
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1180
DiGi מספר חלק
FDMS7602S-DG
מחיר ליחידה
0.53
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDMS3604S
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FDMS3604S-DG
מחיר ליחידה
0.50
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STL66DN3LLH5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STL66DN3LLH5-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SIZ710DT-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
16612
DiGi מספר חלק
SIZ710DT-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
SQS966ENW-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
SIA511DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
