מספר מוצר של יצרן:
SIZ340DT-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIZ340DT-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 30A, 40A 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
מלאי:
9879 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786805
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIZ340DT-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerPAIR®, TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A, 40A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
760pF @ 15V
הספק - מקס'
16.7W, 31W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-Power33 (3x3)
מספר מוצר בסיסי
SIZ340
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIZ340DT-T1-GE3TR
SIZ340DT-T1-GE3CT
SIZ340DT-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI9926CDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
SIA931DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
SQ4532AEY-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
