מספר מוצר של יצרן:
SIS436DN-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIS436DN-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 16A (Tc) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
12917633
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIS436DN-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
855 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SIS436
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIS436DN-T1-GE3-DG
SIS436DN-T1-GE3TR
SIS436DN-T1-GE3CT
SIS436DNT1GE3
SIS436DN-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
CSD16409Q3
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
6428
DiGi מספר חלק
CSD16409Q3-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
CSD16411Q3
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
21452
DiGi מספר חלק
CSD16411Q3-DG
מחיר ליחידה
0.29
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SI7716ADN-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
14050
DiGi מספר חלק
SI7716ADN-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI2323DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
SI3474DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
SIA811DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
