מספר מוצר של יצרן:
SI3474DV-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI3474DV-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 3.8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
12917641
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI3474DV-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
126mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
196 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
SI3474
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI3474DV-T1-GE3CT
SI3474DV-T1-GE3TR
SI3474DV-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RSM002P03T2L
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
25245
DiGi מספר חלק
RSM002P03T2L-DG
מחיר ליחידה
0.12
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RSQ035N03TR
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2079
DiGi מספר חלק
RSQ035N03TR-DG
מחיר ליחידה
0.28
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDC8601
יצרן
onsemi
כמות זמינה
3048
DiGi מספר חלק
FDC8601-DG
מחיר ליחידה
0.49
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIA811DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
SI6465DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
SUM80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
