מספר מוצר של יצרן:

FDC8601

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDC8601-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 2.7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

מלאי:

3048 יחידות חדשות מק originales במלאי

12839724

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDC8601 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2.7A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

109mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

5 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

210 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.6W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SuperSOT™-6

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

מספר מוצר בסיסי

FDC8601

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-FDC8601-OS

FDC8601CT

FDC8601TR

ONSONSFDC8601

FDC8601DKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDD6670AL

MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK

onsemi

FQA13N80

MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN

onsemi

FDP15N40

MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3

onsemi

FDA2712

MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN