מספר מוצר של יצרן:
SIS414DN-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIS414DN-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.4W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
12786659
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIS414DN-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
795 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.4W (Ta), 31W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SIS414
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIS414DNT1GE3
SIS414DN-T1-GE3DKR
SIS414DN-T1-GE3CT
SIS414DN-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RQ3E100MNTB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
5261
DiGi מספר חלק
RQ3E100MNTB1-DG
מחיר ליחידה
0.40
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RQ3E080BNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
40431
DiGi מספר חלק
RQ3E080BNTB-DG
מחיר ליחידה
0.10
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SISA88DN-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
36506
DiGi מספר חלק
SISA88DN-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.14
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIRA20DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
SIHU4N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
SIR812DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
