מספר מוצר של יצרן:
SIR838DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR838DP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 35A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
12917041
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR838DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
33mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
50 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2075 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR838
מידע נוסף
שמות אחרים
SIR838DPT1GE3
SIR838DP-T1-GE3DKR
SIR838DP-T1-GE3CT
SIR838DP-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSC360N15NS3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
22146
DiGi מספר חלק
BSC360N15NS3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.74
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SI7738DP-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
4827
DiGi מספר חלק
SI7738DP-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.25
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHJ690N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
SI7852DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
SI7104DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
