מספר מוצר של יצרן:
SI7738DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7738DP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
4827 יחידות חדשות מק originales במלאי
12914950
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7738DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
38mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
53 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2100 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SI7738
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7738DP-T1-GE3CT
SI7738DPT1GE3
SI7738DP-T1-GE3DKR
SI7738DP-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
SI2316BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
IRFS9N60A
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
