מספר מוצר של יצרן:
SIR820DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR820DP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 37.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
12786381
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR820DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
95 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3512 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
37.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR820
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RS3E095BNGZETB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
RS3E095BNGZETB-DG
מחיר ליחידה
0.29
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RS1E240BNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
RS1E240BNTB-DG
מחיר ליחידה
0.22
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RS1E220ATTB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
11698
DiGi מספר חלק
RS1E220ATTB1-DG
מחיר ליחידה
1.05
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RXH070N03TB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2498
DiGi מספר חלק
RXH070N03TB1-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RS1E150GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2280
DiGi מספר חלק
RS1E150GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUM110N08-07P-E3
MOSFET N-CH 75V 110A TO263
SIHB22N60ET1-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
SUD50N03-06AP-E3
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
