מספר מוצר של יצרן:
RS1E150GNTB
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RS1E150GNTB-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
מלאי:
2280 יחידות חדשות מק originales במלאי
13527248
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RS1E150GNTB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15A (Ta), 40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
590 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 22W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-HSOP
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
RS1E
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RS1E150GNTBDKR
RS1E150GNTBCT
RS1E150GNTBTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
CSD17322Q5A
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
12500
DiGi מספר חלק
CSD17322Q5A-DG
מחיר ליחידה
0.37
סוג משאב
Similar
מספר חלק
BSC100N03MSGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
44436
DiGi מספר חלק
BSC100N03MSGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.24
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
R6020ANX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
RSJ400N10FRATL
MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
R6004ENDTL
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3