מספר מוצר של יצרן:
SIR692DP-T1-RE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR692DP-T1-RE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
3127 יחידות חדשות מק originales במלאי
12916971
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR692DP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
ThunderFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
63mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 7.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1405 pF @ 125 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR692
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIR692DP-T1-RE3CT
SIR692DP-T1-RE3TR
SIR692DP-T1-RE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SISS66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
SI1330EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
SUM120N04-1M7L-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
