מספר מוצר של יצרן:
SI1330EDL-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1330EDL-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
מלאי:
2875 יחידות חדשות מק originales במלאי
12916982
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1330EDL-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
240mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.6 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
280mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-3
חבילה / מארז
SC-70, SOT-323
מספר מוצר בסיסי
SI1330
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1330EDL-T1-GE3CT
SI1330EDL-T1-GE3CT-DG
742-SI1330EDL-T1-GE3DKR
SI1330EDL-T1-GE3TR
742-SI1330EDL-T1-GE3CT
SI1330EDL-T1-GE3DKR
742-SI1330EDL-T1-GE3TR
SI1330EDL-T1-GE3DKR-DG
SI1330EDLT1GE3
SI1330EDL-T1-GE3TR-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN63D1LW-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMN63D1LW-7-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RSU002N06T106
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
5515
DiGi מספר חלק
RSU002N06T106-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RHU002N06T106
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
49952
DiGi מספר חלק
RHU002N06T106-DG
מחיר ליחידה
0.04
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUM120N04-1M7L-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
IXFT26N50Q
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
SI7425DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
