מספר מוצר של יצרן:
SIR172ADP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR172ADP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
2689 יחידות חדשות מק originales במלאי
12965897
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR172ADP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1515 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
29.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR172
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SIR172ADP-T1-GE3-DG
SIR172ADP-T1-GE3CT
SIR172ADP-T1-GE3TR
SIR172ADP-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RS3E095BNGZETB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
RS3E095BNGZETB-DG
מחיר ליחידה
0.29
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RXH070N03TB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2498
DiGi מספר חלק
RXH070N03TB1-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RS1E150GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2280
DiGi מספר חלק
RS1E150GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR158DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
SIB455EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6