מספר מוצר של יצרן:
SIR170DP-T1-RE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR170DP-T1-RE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
825 יחידות חדשות מק originales במלאי
12916189
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR170DP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23.2A (Ta), 95A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
140 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6195 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR170
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIR170DP-T1-RE3TR
SIR170DP-T1-RE3CT
SIR170DP-T1-RE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RS3L045GNGZETB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1173
DiGi מספר חלק
RS3L045GNGZETB-DG
מחיר ליחידה
0.25
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RS6P100BHTB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2725
DiGi מספר חלק
RS6P100BHTB1-DG
מחיר ליחידה
1.35
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RS1L145GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1003
DiGi מספר חלק
RS1L145GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI1411DH-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
SUM09N20-270-E3
MOSFET N-CH 200V 9A TO263
SI6413DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
