מספר מוצר של יצרן:
SI6413DQ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI6413DQ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 7.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
מלאי:
12916201
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI6413DQ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10mOhm @ 8.8A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
800mV @ 400µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
105 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±8V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.05W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-TSSOP
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI6413
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI3456DDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
IXTH16N50D2
MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
SI7415DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
