מספר מוצר של יצרן:
SIR122LDP-T1-RE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR122LDP-T1-RE3-DG
תיאור:
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 17.2A (Ta), 62.3A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
5364 יחידות חדשות מק originales במלאי
12964337
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR122LDP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17.2A (Ta), 62.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
52 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2380 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIR122LDP-T1-RE3CT
742-SIR122LDP-T1-RE3TR
742-SIR122LDP-T1-RE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SI7102DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
SSM3K62TU,LXHF
SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
