מספר מוצר של יצרן:
SSM3K62TU,LXHF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3K62TU,LXHF-DG
תיאור:
SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 800mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
מלאי:
8825 יחידות חדשות מק originales במלאי
12964353
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3K62TU,LXHF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
800mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
57mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
177 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
UFM
חבילה / מארז
3-SMD, Flat Lead
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
264-SSM3K62TULXHFDKR
264-SSM3K62TULXHFCT
264-SSM3K62TULXHFTR
SSM3K62TU,LXHF(B
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHH26N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
SQA700CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
NVTFS4C02NWFTAG
MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
