מספר מוצר של יצרן:
SIHP7N60E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP7N60E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12919761
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP7N60E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
680 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP7
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHP7N60EGE3
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP11N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
896
DiGi מספר חלק
STP11N60DM2-DG
מחיר ליחידה
0.68
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SPP07N60C3XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SPP07N60C3XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.02
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP13NK60Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
770
DiGi מספר חלק
STP13NK60Z-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCP7N60
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1000
DiGi מספר חלק
FCP7N60-DG
מחיר ליחידה
1.05
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFP14N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFP14N60P-DG
מחיר ליחידה
2.90
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4436DY-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
SIS402DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
SIHG25N40D-E3
MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
