מספר מוצר של יצרן:
STP11N60DM2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP11N60DM2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
896 יחידות חדשות מק originales במלאי
12874310
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP11N60DM2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ DM2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
420mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
614 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP11
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-16932
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB12NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
STP13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STD35NF3LLT4
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
