SIHP23N60E-BE3
מספר מוצר של יצרן:

SIHP23N60E-BE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIHP23N60E-BE3-DG

תיאור:

N-CHANNEL 600V
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

994 יחידות חדשות מק originales במלאי
12977695
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SIHP23N60E-BE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
158mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
95 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2418 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
227W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
SIHP23N60E

מידע נוסף

שמות אחרים
742-SIHP23N60E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP23N60E-BE3DKRINACTIVE
742-SIHP23N60E-BE3TR
742-SIHP23N60E-BE3
742-SIHP23N60E-BE3TR-DG
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SQJ459EP-T2_BE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI2333CDS-T1-BE3

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ409EP-T1_BE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQJA37EP-T1_BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET