SI2333CDS-T1-BE3

מספר מוצר של יצרן:

SI2333CDS-T1-BE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI2333CDS-T1-BE3-DG

תיאור:

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

תיאור מפורט:

P-Channel 12 V 5.1A (Ta), 7.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

מלאי:

2804 יחידות חדשות מק originales במלאי

12977697

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SI2333CDS-T1-BE3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

12 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

5.1A (Ta), 7.1A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

35mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

25 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1225 pF @ 6 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-23-3 (TO-236)

חבילה / מארז

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

742-SI2333CDS-T1-BE3DKR

742-SI2333CDS-T1-BE3CT

742-SI2333CDS-T1-BE3TR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SQJ409EP-T1_BE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQJA37EP-T1_BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQD50P04-13L_T4GE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQJA84EP-T1_BE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET