מספר מוצר של יצרן:
SIHP21N65EF-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP21N65EF-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12787533
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP21N65EF-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
106 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2322 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
208W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP21
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP25N60M2-EP
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1008
DiGi מספר חלק
STP25N60M2-EP-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
TK17E65W,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
12
DiGi מספר חלק
TK17E65W,S1X-DG
מחיר ליחידה
1.35
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP31N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1095
DiGi מספר חלק
STP31N65M5-DG
מחיר ליחידה
1.77
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP20N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
945
DiGi מספר חלק
STP20N65M5-DG
מחיר ליחידה
1.36
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SIHA15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
